三星宣布开发出业界首个DDR5内存模块
三星宣布开发出业界首个DDR5内存模块，该模块具有*** GB的惊人容量。内存模块针对AI / ML，百亿亿次超级计算，分析，**和其他数据密集型工作负载。
三星DDR5内存模块包装*** GB容量7c教育资源-基于HKMG工艺节点并提供高达7200 Mb / s的引脚速度
三星表示，*** GB DDR5内存模块将扩展其现有产品组合，以提供有史以来最密集的容量。内存模块将采用HKMG或High-K Metal Gate工艺节点，三星也将其用于生产GDDR6 VRAM模块。该过程节点允许内存模块使用低13%的功率，并且还减少了功率泄漏。
DDR5-4800 MHz内存经过英特尔8芯Alder Lake台式机CPU平台测试，比DDR4快112%
在规格方面，三星*** GB DDR5内存的性能是DDR4内存的两倍，速度高达7200 Mb / s。该存储器共有40个DRAM芯片，每个DRAM芯片具有8层16 Gb DRAM模块，这些模块堆叠在一起并与TSV(直通硅芯)相连。
采用8层TSV结构的***GB容量DDR5模块，
HKMG材料可将功耗降低13%，同时使DDR4速度提高一倍
全球先进存储技术的领导者三星电子今天宣布，它已利用业界首个基于High-K Metal Gate(HKMG)工艺技术的***GB DDR5模块扩展了DDR5 DRAM存储产品组合。新型DDR5的DDR4性能达DDR2的两倍以上，最高可达每秒7200兆比特(Mbps)，将能够协调超级计算，人工智能(AI)和机器学习()中最极端的计算需求，高带宽工作负载( ML)以及数据分析应用程序。
三星电子DRAM内存计划/支持小组副总裁Young-Soo Sohn表示：“三星是**一家拥有逻辑和内存功能以及将HKMG**逻辑技术整合到内存产品开发中的专业知识的半导体公司。” “通过将这种类型的工艺创新引入DRAM制造，我们能够为客户提供高性能，高能效的内存解决方案，以为医学研究，金融市场，自动驾驶，智慧城市及其他领域所需的计算机提供动力。”
